为什么经常要求MOS管快速关断，而不要求MOS管快速开通？

为什么我们很多时候要求MOS管快速关断，而没有要求MOS管快速开通？
下面是常见的MOS管的驱动电路


MOS管快关的原理

还是先简单介绍下快关的原理：
我们知道，MOS管开通和关断的过程，就是MOS管栅极电容充电和放电的过程，所以呢，栅极串联的电阻越大，那么充放电速度越慢，开通和关断越慢。当没有二极管D和电阻Rs_off时，开通时充电和关断时放电的串联电阻都是Rs_on，二者是一样的。
那为什么加上二极管D和电阻Rs_off（有时Rs_off=0Ω，即没有这个电阻）就可以实现快关呢？
当要开通MOS时，驱动器输出驱动电压Vg_drive，此后一直到MOS管完全开通，Vg_drive都大于MOS的栅极电压，因此二极管不导通，所以，相当于Vg_drvie通过电阻Rs_on给栅极进行充电。我们也可以看出，加不加这个Rs_off和二极管D，对于MOS管的开通速度是没有影响的。
当要关断MOS时，Vg_drive接GND，栅极电压大于Vg_drive，因此二极管导通，相当于栅极通过Rs_off并联Rs_on进行放电（严格来说，这里面还有一个二极管的导通压降，并不是很严谨）。我们知道，2个电阻并联之后，电阻要小于并联之前的2个电阻的任何一个。因此，放电时的等效串联电阻为Rs_off//Rs_on，要小于开通时的串联电阻Rs_on，而电阻越小，充放电速度越快，因此我们说，加上这个Rs_off和二极管D可以加速关断。
回到我们最开始的问题，为什么我们要专门增加二极管让关断更快一点呢？
这是因为如果电阻一样的话，关断本身耗时就会长一点，那为什么关断时间会更长？明明充放电的电阻阻值一样？

同电阻时为什么关断时间会更长


结合上一期的内容，我知道，MOS管开通的损耗发生的区域主要在t2和t3时间段，关断损耗主要发生在t6和t7阶段，如下图所示：