把MOS管玩烧了，谁能帮看看是什么问题

认为主要问题出现在G1和G2极的控制电压上，需查下规格书的开启和关闭电压的条件
1、12V的G极电压，应该是使得NMOS和PMOS工作在线性区，两个管子都处于一个比较大的阻抗状态，而形成分压，因此S极得到的电压应该是两个工作在线性区的管子，如同两个电阻分压后得到的电压，因此得到12V的电压值也是也有可能的；
2、当24V直接跳到电容端的时候，这时候NOMS不用考虑，只考虑PMOS端的工作情况；此时，PMOS的G极电压的12V相对S极的24V，PMOS导通更加充分，经过其的电流接近为24V/（10R+2R）=2A（此时PMOS的阻抗估计也是一两欧左右，暂定为2R），当2.4A经过工作在线性区的PMOS时，产生的热量2^2*2=8W，发热功率应该和8W有出入，但应该也是不低，所以烧坏P管，可以解释。
建议：G极的开关电压，高电平电压提高到24V以上（尽量不低于24V），让N管能充分导通，P管能充分截止。如此就不会出现上面的情况。

你栅极驱动都做的不对，你栅极电压只有12V，当然只能到12V

这图不对，G极电阻太大

找了个推挽电路勉强完成任务。

用仿真软件仿真调试还老出错，脑阔疼。

高手，学习了。