光掩膜版

光掩膜版使芯片设计与芯片制造之间的数据中介，可以看作芯片设计公司传递给芯片制造厂的用于制造芯片的“底片”或“母版”。
光掩膜版主要由基板和不透光材料组成。基板是一块光学性能非常好的适应玻璃板；不透光材料是铬金属薄膜，被电镀在基板上，该薄膜上制作了电路版图上某一层的几何图形。光掩膜版上有铬金属薄膜的地方不透光，无铬金属薄膜的地方则可以很好地透光。下图为光掩膜版作为芯片设计与芯片制造之间数据中介的示意图。

光刻胶

正性光刻胶中感光部分的光刻胶可以被腐蚀溶解掉，未感光部分的光刻胶不能被腐蚀溶解；复姓光刻胶的感光部分的光刻胶不能被腐蚀溶解，未感光部分的光刻胶可以被腐蚀溶解掉。如下图所示。

光刻工艺、刻蚀工艺

在芯片制造过程中，光刻工艺和刻蚀工艺用于在某个半导体材料或介质材料层上，按照光掩膜版上的图形，“刻制”出材料层的图形。
首先准备好硅片和光掩膜版，然后再硅片表面上通过薄膜工艺生成一个SiO2薄层。
接下来进行光刻。第一步是在SiO2薄层上均匀涂布正性光刻胶层；第二步是隔着光掩膜版向下面的正性光刻胶层曝光；第三步是对光刻胶层进行定影和后烘固化；第四步是显影，即腐蚀溶解掉感光区域的光刻胶，剩下未感光的光刻胶。
最后进行刻蚀，第五步是通过物理和化学手段把SiO2薄层上未被光刻胶保护的SiO2“刻蚀”掉，只保留受光刻胶保护的SiO2；第六步是把SiO2材料上的光刻胶清除掉，这样图形就被保留在了硅片上。
其流程如下图所示。

芯片制造的工艺流程

芯片设计（图形设计）

绘制芯片制造所用的电路版图，包括许多分层的电路图形，芯片设计就是电路的图形设计。

光掩膜版制作

芯片制造厂在签署了芯片委托加工合同并拿到客户的电路版图数据后，首先要根据电路版图数据制作成套的光掩膜版。

晶圆上电路制造

准备好硅片和整套的光掩膜版后，芯片制造就进入在警员上制造电路的流程。
晶圆上电路制造流程：薄膜/氧化→平坦化→光刻胶涂布→光刻→刻蚀→离子注入/扩散→裸片检测
其流程如下图所示